产品特性

规格名称

指标参数

备注

射频输入

频率

10MHz

内置高稳晶振调谐范围±1E-7，输入10MHz准确度必须小于此范围

输入功率

5~15dBm

输入杂散抑制

≥70dBc

输出谐波抑制

≥30dBc

准确度

≤±3E-7

稳定度

≤±1E-7

射频输出

输出路数

1路

锁定后准确度同外参考，稳定度由内部晶振和外部参考共同决定，未锁定时稳定度和准确度为±1E-8

频率

10 MHz

输出功率

≥7dBm

杂散抑制

≥80dBc

谐波抑制

≥30dBc

相位噪声

1Hz

≤-115dBc/Hz

环路带宽0.001Hz~0.1Hz可调

10Hz

≤-130dBc/Hz

100Hz

≤-148dBc/Hz

1kHz

≤-160dBc/Hz

10kHz

≤-160dBc/Hz

锁相环稳定度

1S

≤2E-13

电源电压

供电电压

+12V

功耗

≤500mA

环境温度

工作温度

0℃→+50℃

储存温度

-55℃→+85℃

结构

尺寸

160mm x 130mm x 25mm

低频接口

DB9

射频接口

SMA-K