产品特性

规格名称

指标参数

备注

射频输入

频率

10MHz

内置高稳晶振调谐范围±1E-7，输入参考准确度必须小于此范围。，输入频率也可以为80M，100M和120M。

输入功率

5~15dBm

输入杂散抑制

≥70dBc

输出谐波抑制

≥30dBc

准确度

≤±3E-7

稳定度

≤±1E-7

射频输出

输出路数

1路

锁定后稳定度与准确度同外参考，未锁定时稳定度和准确度为±1E-7，输出频率也可以为10.23M，80M，100M和120M

频率

100 MHz

输出功率

≥7dBm

杂散抑制

≥80dBc

谐波抑制

≥30dBc

相位噪声

1Hz

同参考（锁相环自身底噪-88dBc/Hz）

锁相环环路带宽为5到10Hz，若参考晶振相位噪声在10Hz处不能优于-125，10Hz处相位噪声会受影响

10Hz

≤-100dBc/Hz

100Hz

≤-130dBc/Hz

1kHz

≤-155dBc/Hz

10kHz

≤-168dBc/Hz

锁相环残余稳定度

1S

≤2E-13

阿伦方差

10S

≤6E-14

电源电压

供电电压

+12V

功耗

≤350mA

环境温度

工作温度

0℃→+50℃

储存温度

-55℃→+85℃

结构

尺寸

50mm x 40mmx 22mm

低频接口

穿心电容

射频接口

SMA-K

产品订货编号

BTX-LLD-10 100

①    ②  ③

①

固定编号

②

输入频率MHz可选(10MHz，80MHz,100MHz,120MHz)

③

输出频率MHz,可选(10.23MHz，80MHz,100MHz,120MHz)